Twitter Facebook
Поиск даташитов Поиск цен и наличия Поиск аналогов Поиск по каталогу

IXTN170P10P

IXTN170P10P
Сообщить об ошибке

Маркировка

IXTN170P10P

Описание

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

Производитель

IXYS

Сообщить об ошибке

Характеристики IXTN170P10P

  • Серия
    PolarP™
  • Производитель
    IXYS
  • FET Type
    MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Standard
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 500mA, 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    170A
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    240nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    12600pF @ 25V
  • Power - Max
    890W
  • Исполнение / Корпус
    SOT-227, miniBLOC
  • Упаковка
    Tube
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости



Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.
Электрофорум
Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.
electroforum.su
Разместить объявление
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.